Samsung: inserti NAND sotto i 30 nm

Il produttore coreano ha annunciato un nuovo sviluppo che potrebbe aumentare notevolmente la capacità.

Samsung ha annunciato che realizzerà gli ultimi chip NAND TLC (Triple Level Cell) già nella classe 20 nm (20-29 nm), che avranno una capacità di 64 Gbit. Possono già memorizzare 3 bit per cella, ma in compenso la velocità è inferiore rispetto al caso di MLC, e aumenta anche la possibilità di errore. I nuovi chip sono consigliati dal produttore per dispositivi USB, schede di memoria, SSD e smartphone. Nell'agosto di quest'anno, Intel e Micron avevano già presentato i propri chip TLC da 64 Gbit, prodotti utilizzando un processo a 25 nm. I precedenti chip TLC di Samsung erano solo 32 Gbit e venivano realizzati nella classe 30 nm (30-39 nm).