Le memorie DDR3 sono già a 30 nm

Samsung sta inoltre pianificando ulteriori aggiornamenti ad alto volume entro la fine dell'anno.

Samsung ha avviato la produzione in serie di chip di memoria da 2 Gbit a 30 nm. Di conseguenza, il consumo e la tensione di esercizio sono stati notevolmente ridotti. Ciò significa che è disponibile un clock fino a 1,35 MHz a 1.866 V e 1,5 MHz a 2.133 V. Rispetto ai precedenti chip prodotti a 50 nm, è possibile ottenere risparmi energetici fino al 20% sul lato anteriore del server. Tuttavia, il produttore non si ferma qui e vuole introdurre entro la fine di quest'anno chip da 4 Gbit, che ora possono produrre moduli da 8 GB su linee desktop e notebook, mentre per i server la capacità di un modulo può raggiungere i 32 GB.

I moduli con gli attuali chip da 2 Gbit saranno disponibili con capacità da 2, 4 e 8 GB, ma non sono ancora disponibili informazioni sui prezzi previsti.